日本巨头信越化学宣布大幅扩产第三代半导体材料

5月18日，日本半导体材料巨头信越化学宣布他们将加速氮化镓（GaN）外延生长衬底及其相关产品的商业化。

信越表示，他们在2019年与美国Qromis公司开展了第一次合作，双方就制造 GaN 衬底材料签订了专利许可协议。信越负责生产氮化镓衬底和氮化镓同质外延片。而在信越此次的扩产中，它将与美国Qromis公司展开进一步的深入合作，通过改进其专有技术，提升6英寸和8英寸的氮化镓衬底生产能力，计划实现产量翻倍，以满足市场快速增长的需求。根据Qromis的介绍，他们已经发布了6英寸和8英寸氮化镓的新品衬底，以及具有5微米和10微米GaN层的“模板”，产品良率为90%。

此前报道过，比利时研究实验室imec开发了1200V的氮化镓技术，硬击穿超过1800V，该成果的实现就是基于Qromis公司的200mm QST衬底。

本文转载自《半导体材料行业分会》微信公众号，原文发布于2022年5月25日。

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